一、简介

董鑫，吉林大学“唐敖庆学者”英才教授，博士生导师。2002年毕业于吉林大学物理学院，获理学学士学位；同年考入必一运动B-sports官方网站攻读硕士学位；2005年考入大连理工大学物理与光电工程学院，攻读博士学位。2008年毕业后来校工作。2013年5月至2014年5月赴美国北卡罗来纳州立大学工程学院从事访问学者工作。在宽禁带半导体领域共发表论文一百余篇；获国家发明专利授权十余项；主持或参与国家重点研发计划项目、国家自然科学基金项目、GF预研项目、吉林省科技发展计划项目、吉林省自然科学基金项目等10余项，科研经费总额500余万元；获吉林大学教学质量奖，吉林大学师德先进个人。

二、研究方向

从事宽禁带半导体材料Ga₂O₃、GaN及相关材料的MOCVD生长、表征及相关光电器件、功率器件的制备与研究工作。

三、承担科研项目及获奖

1、科技部重点研发计划课题，氧化镓外延薄膜与掺杂，2022/11-2025/10，300万元，主持

2、GF装备预先研究项目， *****单晶材料研究，2020/10-2022/09，100万元，主持

3、国家自然科学基金项目，高耐压、低损耗的Si衬底Ga2O3 MOSFET器件制备研究，2018/01-2021/12，75.6万元，主持

4、吉林省科技厅重点科技攻关项目，GaN 基解理腔蓝、绿光激光器的研制，2017/01-2019.12，50万元，主持

5、GF科工局稳定支持项目，超宽禁带Ga₂O₃新型器件技术研究，2019/10-2021/06，30万元，主持

6、GF重点实验室基金项目，Ga₂O₃ 材料的高温金属有机化学气相沉积外延生长技术研究 ，2018/01-2019/12，21万元，主持

7、吉林省自然科学基金面上项目，p型纳米结构氧化镓薄膜制备研究，2023/01-2025/12，5万元，主持

四、讲授课程

本科生：半导体物理学

研究生：先进半导体器件

五、代表性工作及论文

1、“Selective-area growth of β-Ga₂O₃ nanowire films on nano-patterned Si(111) substrate by metal-organic chemical vapor deposition”， Ceramics International 49 (2023) 22170–22176

2、“Surface morphology evolution and optoelectronic properties of heteroepitaxial Si-doped β-Ga₂O₃ thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition”, Ceramics International 44 (2018) 3122–3127

3、“Preparation of high light-trapping β-Ga₂O₃ nanorod films via thermal oxidation of GaAs and metal-organic chemical vapor deposition”，Materials Science in Semiconductor Processing 169 (2024) 107912

4、“Self-powered Schottky barrier photodiodes based on homoepitaxial Ga₂O₃ film”，Materials Letters 349 (2023) 134847

5、“Self-powered flexible UV photodetectors based on MOCVD-grown Ga₂O₃ films on mica”，Materials Science in Semiconductor Processing 165 (2023) 107706

6、“Fabrication of Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode and Heterojunction Diode by MOCVD”，Materials 15（2022）8280

7、“Preparation of High-Thickness n^--Ga₂O₃ Film by MOCVD”，Coatings 12（2022） 645

8、“Solar-blind ultraviolet photodetectors based on homoepitaxial β-Ga₂O₃ films”，Optical Materials 122 (2021) 111665

9、“Stable Electron Concentration Si‐doped β‐Ga₂O₃ Films Homoepitaxial Growth by MOCVD”，Coatings 11（2021）589

10、“Single crystalline β-Ga₂O₃ homoepitaxial films grown by MOCVD”，Vacuum 178 (2020) 109440

六、报考要求

招收对半导体物理与器件专业有较浓厚兴趣，理论基础扎实，刻苦钻研，动手能力强，具有团队意识的硕士与博士生。微电子学、电子科学与技术、物理学等专业背景优先。

七、毕业生去向

课题组的毕业生主要去向高等院校，科研院所，半导体器件、芯片制造等高技术企业。

八、联系方式

办 公 室：吉林大学前卫南区唐敖庆楼D区433房间

电 话：(0431)85168241-8433

E-mail：dongx@jlu.edu.cn